研發(fā)中心 張磊
中國(guó)目前陸地干線網(wǎng)主要以普通G.652.D光纖為主,而90年代鋪設(shè)的光纜已經(jīng)達(dá)到預(yù)期20-25年的使用壽命,所以今后幾年將逐步面臨著對(duì)主干網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行升級(jí)換代的要求。因此,如何為長(zhǎng)距離陸地干線光纜選擇合適的光纖,對(duì)于網(wǎng)絡(luò)運(yùn)營(yíng)商和光通信公司來(lái)說(shuō)都是一個(gè)急需解決的問(wèn)題。為了獲得最佳的系統(tǒng)性能,如果將超低衰減和大有效面積的特性融合到一根光纖中去,這種光纖將會(huì)是下一代通信光纖中最完美的光纖。
下表中給出了目前正在討論中的G.654.E光纖指標(biāo)和長(zhǎng)飛超低衰減大有效面積光纖的性能指標(biāo)范圍,長(zhǎng)飛公司的超低衰減大有效面積光纖(遠(yuǎn)貝®超強(qiáng))能夠滿足甚至優(yōu)于現(xiàn)有最嚴(yán)格的G.654.E標(biāo)準(zhǔn)建議。
參數(shù)名稱 |
G.654.E 討論稿 |
YOFC 產(chǎn)品手冊(cè)范圍 |
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建議1 |
建議2 |
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E1 |
E2 |
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光學(xué)參數(shù) |
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*模場(chǎng)直徑@1550nm (um) |
名義范圍 |
11.5-13.0 |
11.0-12.0 |
12.0-13.0 |
11.4-12.2 Typical: 11.8 |
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正負(fù)偏差 |
±0.7 |
±0.7 |
±0.7 |
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有效面積典型值@1550nm (um2) |
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110 |
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*光纜截止波長(zhǎng) (nm) |
≤1510 |
≤1530 |
≤1530 |
≤1530 典型值 1440nm |
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*衰減系數(shù) @1550nm (dB/km) |
≤0.20 |
≤0.20-0.25 |
≤0.174 |
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*宏彎 (R30mm×100 turns) |
1550nm (dB) |
TBD |
TBD |
TBD |
≤0.1 |
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1625nm (dB) |
≤0.2 |
≤0.5 |
≤0.5 |
≤0.2 |
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*色散系數(shù) @1550nm (ps/nm/km) |
≤22 |
≤22 |
≤22 |
≤22 |
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色散斜率 @1550nm (ps/nm2/km) |
≤0.070 |
≤0.070 |
≤0.070 |
≤0.070 |
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PMD (ps/km1/2) |
≤0.2 |
≤0.2 |
≤0.2 |
≤0.2 |
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幾何參數(shù) |
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包層外徑 (um) |
125±1 |
125±1 |
125±1 |
125±1 |
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芯包同心度 (um) |
≤0.8 |
≤0.8 |
≤0.8 |
≤0.8 |
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包層圓度 (%) |
≤1.0 |
≤1.0 |
≤1.0 |
≤1.0 |
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*仍然在討論中, ITU-T Q5小組未有明確建議。
光纖折射率剖面結(jié)構(gòu)示意圖
和傳統(tǒng)的摻氟外包層結(jié)構(gòu)的超低衰減大有效面積光纖相比,長(zhǎng)飛采用純二氧化硅(SiO2)作為光纖的外包層,由于減少了氟摻雜材料的使用量,無(wú)論從材料制備成本,制備技術(shù)難度以及環(huán)保等角度,我們的超低衰減大有效面積光纖產(chǎn)品在成本上更具有競(jìng)爭(zhēng)力。
無(wú)論從理論還是實(shí)際角度,更低的衰減可以減少中繼站的數(shù)量并降低長(zhǎng)距離通信網(wǎng)絡(luò)的維護(hù)成本,因此不斷地降低光纖衰減系數(shù)是光纖研發(fā)的長(zhǎng)期目標(biāo)。對(duì)于光纖研發(fā)和制造企業(yè),如果我們可以在理論上,對(duì)衰減組成的各個(gè)部分進(jìn)行定性和定量的分析,就可以有效的幫助我們找到降低衰減的最優(yōu)途徑,在實(shí)際工作中指導(dǎo)我們的工作方向。