多模光纖的研發(fā)始于上個(gè)世紀(jì)七八十年代，早期的多模光纖包括很多尺寸種類，列入國(guó)際電工委（IEC）標(biāo)準(zhǔn)中的尺寸類型包括四種，芯包層直徑分為50/125μm、62.5/125μm、85/125μm和100/140μm。由于芯包層尺寸大則制作成本高、抗彎性能差，而且傳輸模數(shù)量增多，帶寬降低，因而較大芯包層尺寸的類型逐漸被淘汰，逐漸形成了兩種主要的芯包層尺寸，分別是50/125μm和62.5/125μm。

在早期的局域網(wǎng)中，為了盡可能地降低局域網(wǎng)的系統(tǒng)成本，普遍采用價(jià)格低廉的LED作光源。由于LED輸出功率低，發(fā)散角比較大，而50/125μm多模光纖的芯徑和數(shù)值孔徑都比較小，不利于與LED的高效耦合，不如芯徑和數(shù)值孔徑大的62.5/125μm多模光纖能使較多的光功率耦合到光纖鏈路中去，因此，50/125μm多模光纖在20世紀(jì)90年代中期以前不如62.5/12μm多模光纖那樣得到廣泛的應(yīng)用。

隨著局域網(wǎng)傳輸速率不斷升級(jí)，自20世紀(jì)末以來(lái)，局域網(wǎng)向1Gb/s速率以上發(fā)展，以LED作光源的62.5/125μm多模光纖僅僅幾百兆的帶寬逐漸不能滿足要求。相比之下，50/125μm多模光纖數(shù)值孔徑和芯徑較小，傳導(dǎo)模式也較少，因而有效地降低了多模光纖的模式色散，使得帶寬得到了顯著的增加，由于芯徑較小，50/125μm多模光纖的制作成本也更低，因此重新得到了廣泛的應(yīng)用。

IEEE 802.3z千兆位以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定50/125μm多模和62.5/125μm多模光纖都可以作為千兆位以太網(wǎng)的傳輸介質(zhì)使用。但對(duì)新建網(wǎng)絡(luò)，一般首選50/125μm多模光纖。

隨著技術(shù)的發(fā)展，850nm VCSEL(垂直腔體表面發(fā)射激光器)出現(xiàn)。VCSEL激光器比長(zhǎng)波長(zhǎng)激光器價(jià)格更低，同時(shí)能夠提高網(wǎng)絡(luò)速率，因此獲得了廣泛應(yīng)用。由于兩種發(fā)光器件的不同，必須對(duì)光纖本身進(jìn)行改造，以適應(yīng)光源的變化。

為了VCSEL激光器需要，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織/國(guó)際電工委員會(huì)（ISO/IEC）和美國(guó)電信工業(yè)聯(lián)盟（TIA）聯(lián)合起草了新一代纖芯為50μm的多模光纖的標(biāo)準(zhǔn)。ISO/IEC在其所制定的新的多模光纖等級(jí)中將新一代多模光纖劃為OM3類別(IEC標(biāo)準(zhǔn)為A1a.2)，即為激光優(yōu)化的多模光纖。

后續(xù)出現(xiàn)的OM4光纖，實(shí)際是OM3多模光纖的升級(jí)版。OM4標(biāo)準(zhǔn)與OM3光纖相比，只是在光纖帶寬指標(biāo)做了提升。即OM4光纖標(biāo)準(zhǔn)在850nm波長(zhǎng)的有效模式帶寬（EMB）和滿注入帶寬（OFL）相比OM3 光纖都做了提高。如下表2所示。

光纖類型	滿注入帶寬（MHz·km）	有效模式帶寬（MHz·km）
	850nm	850nm
OM3	≥1500	≥2000
OM4	≥3500	≥4700

表2 OM3和OM4光纖對(duì)比

多模光纖內(nèi)傳輸模式眾多，隨之還帶來(lái)光纖抗彎曲性能的問(wèn)題，當(dāng)光纖彎曲時(shí)，高階的模式極易泄露出去，造成信號(hào)的損失，即光纖的彎曲損耗。隨著室內(nèi)應(yīng)用場(chǎng)景不斷增多，多模光纖在狹窄環(huán)境下的布線，對(duì)其抗彎曲性能也提出了更高要求。